题目
题型：不详难度：来源：
现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表：
| 元素编号 | 元素性质或原子结构 |
| A | 第三周期中的半导体材料 |
| B | L层s电子数比p电子数少1 |
| C | 第三周期主族元素中其第一电离能最大 |
| D | 前四周期呀中其未成对电子数最多 |
键和__________个
键，元素B的气态氢化物的空间型为________________。（2）C单质的熔点____________A单质的熔点（填“高于”或“低于”），其原因是：_______________
（3）写出元素D基态原子的电子排布式：______________________。
答案
答案：（1）1 2 ，三角锥形
（2）低于 Cl2晶体属于分子晶体，Si晶体属于原子晶体，原子晶体中原子之间以很强的共价键结合，而分子晶体中分子间以较弱的分子间作用力结合，因而原子晶体的熔点比分子晶体的熔点高
（3）1s22s22p63s23p63d54s1
解析
A为第三周期中的半导体材料，得出A为Si；B的L层s电子数比p电子数少1，得出B为N；C在第三周期主族元素中其第一电离能最大，为Cl；D在前四周期呀中其未成对电子数最多，所以为Cr.
核心考点
试题【现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表：元素编号元素性质或原子结构A第三周期中的半导体材料BL层s电子数比p电子数少1C第三周期主族元素中其第一电离能最大D】；主要考察你对物质的组成等知识点的理解。[详细]
举一反三
请完成下列各题：
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种。
（2）第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，每个Ga原子与 个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（3）在极性分子NCl3中，N原子的化合物为―3，Cl原子的化合价为＋1，请推测NCl3水解的主要产物是 （填化学式）。
| A．四种元素中，原子半径最大的是W |
| B．X元素的最高价氧化物对应的水化物酸性最强 |
| C．单质的氧化性：W > Z |
| D．气态氢化物的熔点和沸点：Z> Y |
| A．X元素在周期表中的位置只能是第二周期第ⅣA族 |
B．若X的常见简单阴离子X 能跟Y的单质发生氧化还原反应，则说明Y的非金属性比X的强 |
| C．若Y的非金属性比X的强，则与同一种还原剂反应时，一个Y原子得到的电子数一定比一个X原子得到的电子数少 |
D．若X能形成XO 、XO 和X2O，Y能形成YO 和XO ，则X、Y一定在同一周期 |
| 元素代号 | W | R | X | Y | Z |
| 原子半径／nm | 0.037 | 0.157 | 0.066 | 0.070 | 0.077 |
| 主要化合价 | +1 | +1 | －2 | －3、+5 | +2、+4 |
(1)五种元素中原子半径最大的元素在周期表中位于 。
(2)写出下列有关反应的化学方程式：
①Z的单质与Y元素的最高价氧化物对应的水化物反应：
；
②R2X2与ZX2反应： 。
(3)X可与Z形成一种有恶臭味的气体，该气体与氧气发生反应的物质的量之比为1：2，且反应前后气体的总体积不变，试写出该气体分子(分子中各原子最外层均满足8e
结构，且含有非极性键)的电子式： 。| A．这种原子（110X）的中子数为110 | B．这种元素肯定是金属元素 |
| C．这种元素与铅属同一族 | D．这种元素为第六周期元素 |
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