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题目
题型:安徽难度:来源:
如图所示的平面直角坐标系xOy,在第Ⅰ象限内有平行于y轴的匀强电场,方向沿y正方向;在第Ⅳ象限的正三角形abc区域内有匀强磁场,方向垂直于xOy平面向里,正三角形边长为L,且ab边与y轴平行.一质量为m、电荷量为q的粒子,从y轴上的p(0,h)点,以大小为v0的速度沿x轴正方向射入电场,通过电场后从x轴上的a(2h,0)点进入第Ⅳ象限,又经过磁场从y轴上的某点进入第Ⅲ象限,且速度与y轴负方向成45°角,不计粒子所受的重力.求:
(1)电场强度E的大小;
(2)粒子到达a点时速度的大小和方向;
(3)abc区域内磁场的磁感应强度B的最小值.魔方格
答案
粒子在第Ⅰ象限内做类平抛运动,设在第Ⅰ象限内运动的时间为t1,则
水平方向有:2h=v0t1…①
竖直方向有:h=
1
2
qE
m
t12
…②
①②式联立得:E=
m
v20
2qh
   ③
(2)设粒子到达a点时时竖直方向的速度vy
则有:vy=at1=
qE
m
t1
…④.
①③④联立得:vy=v0
所以粒子到达a点时速度大小为va=


vx2+vy2
=


v02+v02
=


2
v0
    ①
与x轴的夹角为θ,由几何关系得:tanθ=
vy
vx
=
v0
v0
=1

所以θ=45°
(3)经分析,当粒子从b点出磁场时,磁感应强度最小;

魔方格

由几何关系得:r=


2
2
L
       ②
由洛伦兹力提供向心力得:Bqv=
mv2
r
        ③
①②③联立得:B=
2mv0
qL
即磁感应强度的最小值
答:(1)电场强度E的大小E=
m
v20
2qh

(2)v=


2
v0,与x轴正方向成45°角斜向右下方
(3)磁场的磁感应强度B的最小值B=
2mv0
qL
核心考点
试题【如图所示的平面直角坐标系xOy,在第Ⅰ象限内有平行于y轴的匀强电场,方向沿y正方向;在第Ⅳ象限的正三角形abc区域内有匀强磁场,方向垂直于xOy平面向里,正三角】;主要考察你对静电现象等知识点的理解。[详细]
举一反三
在真空中,一束初速度不计的电子流,在经U=5000V的加速电压加速后,从两板中央垂直进入平行板电容器板间的匀强电场中,如图所示.已知电子的比荷(电荷量e和质量m之比)
e
m
=1.76×1011C/kg
,板间距离
d=1.0cm,板长l=10.0cm.
(1)假设某非常微弱的匀强电场的场强E0=1V/m,电子在该电场中所受电场力产生的加速度是重力加速度的多少倍(取重力加速度g=10m/s2)?由此可以判断电子在电场中加速或偏转时,其重力是否可以忽略不计?
(2)要使电子能从平行板间飞出,平行板电容器板间电压的最大值Um是多少?魔方格
题型:不详难度:| 查看答案
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P+和P3+(  )
题型:浙江难度:| 查看答案
A.在内场中的加速度之比为1:1
B.在磁场中运动的半径之比为:1
C.在磁场中转过的角度之比为1:2
D.离开电场区域时的动能之比为1:3
如图所示,A板发出的电子经加速后,水平射入水平放置的两平行金属板M、N间,M、N金属板间所加的电压为U,电子最终打在光屏P上,关于电子的运动,则下列说法中正确的是(  )
题型:不详难度:| 查看答案
A.滑动触头向右移动时,其他不变,则电子打在荧光屏上的位置上升
B.滑动触头向左移动时,其他不变,则电子打在荧光屏上的位置上升
C.电压U增大时,其他不变,则电子打在荧光屏上的速度大小不变
D.电压U增大时,其他不变,则电子从发出到打在荧光屏上的时间不变
如图所示,在xOy坐标系中,将一负检验电荷q由y轴上a点移动到x轴上b点时,需克服电场力做功W1,若从a点移到x轴上c点时,需克服电场力做功W2,已知W1>W2.那么关于此空间存在的静电场可能是(  )
题型:不详难度:| 查看答案
A.处于第Ⅰ象限某一位置的正点电荷形成的电场
B.处于第Ⅲ象限某一位置的负点电荷形成的电场
C.存在方向沿y轴正方向的匀强电场
D.存在方向沿x轴负方向的匀强电场
图中P为放在匀强电场中的天放射源,其可以放出三种射线,其中α射线(氦核)带正电,β射线(电子)带负电,γ射线(电磁波)不带电,其放出的射线在电场的作用下分成a,b,c三束,以下判断正确的是(   )
题型:不详难度:| 查看答案
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A.a为α射线,b为β射线B.a为β射线,b为γ射线
C.b为γ射线,c为α射线D.b为α射线,c为γ射线