题目
题型:不详难度:来源:
A.金刚石>晶体硅>碳化硅 | B.CF4>CCl4>CBr4 |
C.NH3>N2>H2 | D.纯镁>镁铝合金>纯铝 |
答案
解析
试题分析:A不正确,应该是金刚石>碳化硅>晶体硅;B不正确,应该是CCl4>CBr4>CF4;合金的熔点一般高于各成分金属的熔点,D不正确,应该是镁铝合金>纯铝>纯镁,所以正确的答案选C。
点评:晶体熔沸点高低比较的一般规律是:原子晶体,熔沸点大小和共价键的强弱有关系;金属晶体中,形成金属键的金属阳离子半径越小,电荷数越多,金属键越强,熔沸点越高;分子晶体中形成分子晶体的分子间作用力越大,熔沸点越高;离子晶体中形成离子键的离子半径越小,电荷数越多,离子键越强,熔沸点越高。
核心考点
举一反三
A.在NaCl晶体中,距Na+最近的Cl-形成正八面体 |
B.在NaCl晶体中,每个晶胞平均占有4个Na+ |
C.在CsCl晶体中,每个晶胞平均占有8个Cs+ |
D.铜晶体为面心立方堆积,铜原子的配位数(距离一个铜原子最近的其它铜原子的个数)为12 |
A.AB | B.AB4 | C.AB2 | D.A2B5 |
A.AB B.XY3Z C.EF D.AB
A.Be2+中的电子和质子 |
B.Na2O2中的阳离子和阴离子 |
C.NaHCO3晶体中的阳离子和阴离子 |
D.BaO2(过氧化钡)固体中的阴离子和阳离子 |
A.NaCl(x=Na+,y=Cl-) |
B.CsCl(x=Cs+,y=Cl-) |
C.金属钋(Po) |
D.MgO晶体 |
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