当前位置:高中试题 > 物理试题 > 电磁感应中切割类问题 > 质量为m,边长为l,电阻为R的正方形单匝闭合线框从静止释放,进入匀强磁场的过程恰好是匀速的,磁场的磁感应强度为B,方向如图所示,则释放时,线框底边距磁场边界的高...
题目
题型:不详难度:来源:
质量为m,边长为l,电阻为R的正方形单匝闭合线框从静止释放,进入匀强磁场的过程恰好是匀速的,磁场的磁感应强度为B,方向如图所示,则释放时,线框底边距磁场边界的高度H=______.魔方格
答案
设线圈自由下落H米时的速度为v,线圈进入磁场,产生感应电流,受到向上的安培力F:由平衡关系可知F=BIl=
B2l2v
R
=mg;
从线框开始下落到进入磁场过程中机械能守恒,则由可右:mgH=
1
2
mv2
联立解得:H=
m2R2g
2B4l4

故答案为:
m2R2g
2B4l4
核心考点
试题【质量为m,边长为l,电阻为R的正方形单匝闭合线框从静止释放,进入匀强磁场的过程恰好是匀速的,磁场的磁感应强度为B,方向如图所示,则释放时,线框底边距磁场边界的高】;主要考察你对电磁感应中切割类问题等知识点的理解。[详细]
举一反三
如图所示,金属杆ab、cd可以在光滑导轨PQ和RS上滑动,匀强磁场方向垂直纸面向里,当ab、cd分别以速度v1、v2滑动时,发现回路感生电流方向为逆时针方向,则v1和v2小、方向可能是(   )
题型:不详难度:| 查看答案
题型:杭州模拟难度:| 查看答案
A.v1>v2,v1向右,v2向左B.v1>v2,v1和v2都向左
C.v1=v2,v1向左,v2向右D.v1=v2,v1和v2都向左
如图所示,A、B为不同金属制成的正方形线框,导线粗细相同,A的边长是B的2倍,A的密度是B的1/2,A的电阻是B的4倍.当它们的下边在同一高度竖直下落,垂直进入如图所示的磁场时,A框恰能匀速下落,那么;(1)B框进入磁场过程将作______运动(填“匀速”“加速”“减速”);(2)两线框全部进入磁场的过程中,A、B两线框消耗的电能之比为______.魔方格
下列各种情况中的导体切割磁感线产生的感应电动势最大的是(  )
魔方格
题型:龙岩模拟难度:| 查看答案
A.AB.BC.CD.D
如图所示,固定在水平绝缘平面上足够长的金属导轨不计电阻,但表面粗糙,导轨左端连接一个电阻R,质量为m的金属棒(电阻也不计)放在导轨上,并与导轨垂直,整个装置放在匀强磁场中,磁场方向与导轨平面垂直.用水平恒力F把ab棒从静止起向右拉动的过程中
①恒力F做的功等于电路产生的电能
②恒力F和摩擦力的合力做的功等于电路中产生的电能
③克服安培力做的功等于电路中产生的电能
④恒力F和摩擦力的合力做的功等于电路中产生的电能和棒获得的动能之和
以上结论正确的有(  )
题型:不详难度:| 查看答案
A.①②B.②③C.③④D.②④
如图所示,由粗细均匀的电阻丝制成的边长为L的正方形线框abcd,其总电阻为R.现使线框以水平向右的速度v匀速穿过一宽度为2L、磁感应强度为B的匀强磁场区域,整个过程中ab、cd两边始终保持与磁场边界平行.令线框的cd边刚好与磁场左边界重合时开始计时(t=0),电流沿abcda流动的方向为正,Uo=BLv.在下图中线框中a、b两点间电势差Uab随线框cd边的位移x变化的图象正确的是图6中的(  )
题型:不详难度:| 查看答案
版权所有 CopyRight © 2012-2019 超级试练试题库 All Rights Reserved.
A.
魔方格
B.
魔方格
C.
魔方格
D.
魔方格