题目
题型：不详难度：来源：
(1)速度多大的一价铜离子，才能通过与Sl小孔正对的S2小孔射入另一匀强磁场B2中?
(2)如果这些一价铜离子在匀强磁场B2中发生偏转后，打在过小孔S2且与两磁场分界面重合的照相底片上，已知分界面与小孔SlS2连线垂直，若感光点到小孔S2的距离分别为d1=0.654m,d2="0.674m" ,那么对应的两种铜离子的质量数之比为多大?
答案
（1）2．5x105m／s（2）
解析
代入数据解得 V=2．5x105m／s ②(2分)
(2)设两种铜离子的质量数分别为M1和M2．质子的质量为mp，由题知质量为m的铜 离子
由S2进入偏转磁场后作匀速圆周运动,此时有
③(4分) 则
④(1分)所以质量数为
⑤ (1分)故，对应的两种铜离子质量数之比为
⑥代入数据解得
⑦(1分) 说明：若不写⑤式而直接写出⑥式，答案正确的同样给满分．
核心考点
试题【如图所示，一束具有各种速率的两种质量数不同的一价铜离子，水平地经过小 孔S1射入垂直的匀强电场和匀强磁场区域，已知匀强电场的场强E="1X" l05v/m，】；主要考察你对粒子在复合场中运动等知识点的理解。[详细]
举一反三
沿y轴负方向垂直射入磁场，如图所示，磁偏转后恰好沿O点水平射入电场，最后落在极板上。粒子的重力忽略不计。
求：(1)粒子速度
的大小？(2)粒子抵达极板时的坐标。
.粒子所受重力不计，求带电粒子的荷质比.
(1)图象中
和
的比值．(2)磁场的方向．
(3)若第1粒子击中C点的时刻已知为(1+△t)s，那么第2个粒子击中C点的时刻是多少?
(1)求粒子的荷质比q/m=？
(2)求从C点射出时的速度v．
(1)粒子从原点射入时的速度v=？
(2)粒子从射入磁场到垂直打在屏MN上所需时间t=?
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